研究小组开发了一种用于硒化锡基材料的新薄膜沉积工艺。该工艺采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，能够在200°C的低温下在大晶圆表面沉积薄膜，实现卓越的精度和可扩展性。

MOCVD是一种尖端技术，它利用气态前体以出色的精度进行化学反应，从而可以在半导体中使用的晶圆级材料上沉积薄膜。

得益于这种创新方法，该团队能够在晶圆单元上合成厚度均匀、厚度仅为几纳米的硒化锡材料(SnSe2、SnSe)。

为了实现低温沉积，团队策略性地将配体分解和薄膜沉积的温度部分分开。通过调整锡和硒前体的比例以及携带前体的氩气的流量，他们能够精细地控制沉积过程，从而获得高结晶度、规则排列以及受控的薄膜相和厚度。

无论使用何种基材，这种先进的工艺都可以在约200°C的低温下均匀沉积薄膜，展示了其大规模用于各种电子应用的潜力。该团队成功地将这种方法应用于整个晶圆，在两种类型的硒化锡薄膜中保持了化学稳定性和高结晶度。

该研究小组由UNIST半导体材料与器件工程研究生院和材料科学与工程系的JoonkiSuh教授领导，与中国科学院的FengDing教授、世宗大学的SungkyuKim教授合作大学和UNIST的ChangwookJeong教授。

主要作者Kim强调了这项研究在克服现有沉积方法的局限性方面的重要性，展示了在不改变化学成分的情况下大面积沉积多相材料的能力。这一突破为电子设备的应用和硒化锡基材料的进一步研究打开了大门。

Suh教授强调了这项研究的创新性，根据半导体薄膜材料的相，提出了一种基于热力学和动态行为的独特工艺策略。该团队旨在通过开发下一代半导体材料的定制工艺来推进电子设备应用的研究。