【MOCVD】一、
MOCVD（金属有机化学气相沉积）是一种广泛应用于半导体材料生长的先进工艺技术，尤其在LED、激光器、功率器件等领域具有重要地位。该技术通过将金属有机化合物和氢化物气体引入反应室，在高温条件下发生化学反应，从而在衬底上形成高质量的薄膜材料。MOCVD的优势包括高均匀性、可控制性强、适合大规模生产等，但也存在设备成本高、工艺复杂等问题。
二、MOCVD 技术关键参数与特点
| 项目 | 内容说明 |
| 全称 | 金属有机化学气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition） |
| 应用领域 | LED、激光器、功率半导体、太阳能电池、GaN基器件等 |
| 基本原理 | 在高温低压环境下，金属有机化合物和气体前驱体在衬底表面分解并沉积成薄膜 |
| 主要原料 | 金属有机源（如TMG、TMA、TMI）、氮源（如NH3）、氢源（如H2） |
| 工艺温度 | 通常在700–1100℃之间，视材料而定 |
| 沉积速率 | 一般为0.1–5 μm/h，受气体流量和温度影响 |
| 薄膜质量 | 高结晶度、低缺陷密度、良好均匀性 |
| 设备特点 | 真空系统、反应室、气体控制系统、加热系统 |
| 优势 | 可控性强、适合批量生产、适用于多种材料 |
| 劣势 | 设备投资大、工艺复杂、对环境要求高 |
三、结语
MOCVD作为现代半导体制造中的核心技术之一，其应用范围不断扩展，推动了光电子、电力电子等多个领域的快速发展。随着材料科学的进步和技术的优化，MOCVD将在未来发挥更加重要的作用。
